1. Что происходит в контакте двух проводников n- и p-типов? 2. Что такое запирающий слой? 3. Какой переход называют прямым? 4. Для чего служит полупроводниковый диод? 5. Почему база транзистора должна быть узкой? 6. Как надо включать в цепь транзистор, у которого база является полупроводником p-типа, а эмиттер и коллектор полупроводниками n-типа? 7. Почему сила тока в коллекторе почти равна силе тока в эмиттере?

Ответы на теоретические вопросы:

1. В контакте двух проводников n- и p-типов образуется p-n переход. В области контакта происходит диффузия носителей заряда: электроны из n-области переходят в p-область, а дырки из p-области — в n-область.
2. Запирающий слой — это область вблизи p-n перехода, обедненная свободными носителями заряда (электронами и дырками). В этой области возникает внутреннее электрическое поле, препятствующее дальнейшему переходу носителей заряда через переход.
3. Прямым называют переход, к которому приложено напряжение так, что положительный полюс источника связан с p-областью, а отрицательный — с n-областью. В этом случае запирающий слой уменьшается, и через переход течет ток.
4. Полупроводниковый диод служит для пропускания электрического тока преимущественно в одном направлении (в прямом направлении).
5. База транзистора должна быть узкой, чтобы обеспечить эффективное взаимодействие между эмиттером и коллектором. Узкая база позволяет электронам (или дыркам) из эмиттера, пройдя через базу, попасть в коллектор, не рекомбинируя в базе.
6. Транзистор с p-типа базой, n-типа эмиттером и n-типа коллектором включается в цепь следующим образом: эмиттер подключается к отрицательному полюсу источника напряжения, база — к положительному полюсу, а коллектор — также к положительному полюсу, но с большим потенциалом, чем база.
7. Сила тока в коллекторе почти равна силе тока в эмиттере, потому что основная часть носителей заряда, инжектируемых эмиттером, проходит через узкую базу и собирается коллектором. Лишь небольшая часть носителей рекомбинирует в базе.