2. Определить интервал кристаллизации и построить кривую охлаждения для сплава с концентрацией компонентов 60% Si.

Для состава 60% Si по диаграмме начало кристаллизации соответствует пересечению вертикали состава с ликвидусом. По графику это приблизительно 1080 °C. Окончание кристаллизации происходит на эвтектической горизонтали при 578 °C.

Интервал кристаллизации: приблизительно от 1080 °C до 578 °C. Сначала выделяются первичные кристаллы Si; при 578 °C остаток расплава затвердевает с образованием эвтектики α + Si.

Схематическая кривая охлаждения (температуры начала и конца кристаллизации сняты приблизительно с диаграммы):

На горизонтальном участке при 578 °C температура постоянна, пока затвердевает эвтектический расплав.

Ответ: интервал кристаллизации — примерно 1080–578 °C.